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[PV类]禁带宽度
J.C.翻译所 发表于 2008/5/16 17:31:00

定义:

导带的能量下边界和价带的能量上边界之间的间隙。根据能带理论,固体中运动电子的能量谱值系由一系列准连续的具有一定宽度的能带(称为允带)所组成。两个相邻的允带之间的区域为不能被电子占据的能量禁区,称为禁带。禁带所覆盖的能量区间即为禁带宽度,用Eg表示。

禁带宽度是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带。要导电就要有自由电子存在。自由电子存在的能带称为导带(能导电)。被束缚的电子要成为自由电子,就必须获得足够能量从而跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度。硅的禁带宽度为0.8ev,砷化镓比他高得多(具体不记得了,大概是一点几还是二点几)。禁带非常窄就成为金属了,反之则成为绝缘体。半导体的反向耐压,正向压降都和禁带宽度有关。 


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